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Magnetic field induced photocurrents in semiconductor nanostructures under THz laser excitation

URN zum Zitieren dieses Dokuments: urn:nbn:de:bvb:355-epub-289593

Stachel, Sebastian (2013) Magnetic field induced photocurrents in semiconductor nanostructures under THz laser excitation. Dissertation, Universität Regensburg.

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Zusammenfassung (Englisch)

In this work magnetic-field-induced photocurrents were studied in InSb quantum well structures under THz laser excitation. In particular the linear and circular magnetogyrotropic photogalvanic effect (MPGE) have been observed in this material. The detailed study of the photo-induced currents together with the theoretical considerations reveals that in InSb-based low-dimensional structures, not ...

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Übersetzung der Zusammenfassung (Deutsch)

Diese Arbeit befasst sich mit der Untersuchung von Magnetfeld-induzierten Photoströmen in InSb Quantentrögen mittels Terahertz Laser Anregung. Insbesondere der lineare und zirkulare Magnetogyrotrope Photogalvanische Effekt (MPGE) konnte in diesem Material beobachtet werden. Die eingehende Untersuchung der photo-induzierten Ströme zusammen mit ihren theoretischen Beschreibung machen deutlich, dass ...

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Dokumentenart:Hochschulschrift der Universität Regensburg (Dissertation)
Datum:6 November 2013
Begutachter (Erstgutachter):Prof. Dr. Sergey Ganichev
Tag der Prüfung:22 Oktober 2013
Institutionen:Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Professor Ganichev > Arbeitsgruppe Sergey Ganichev
Stichwörter / Keywords:semiconductors, Spintronics, terhartz
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Ja, diese Version wurde begutachtet
An der Universität Regensburg entstanden:Ja
Eingebracht am:06 Nov 2013 15:36
Zuletzt geändert:08 Mrz 2017 08:37
Dokumenten-ID:28959
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