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Fixing the Energy Scale in Scanning Tunneling Microscopy on Semiconductor Surfaces

URN zum Zitieren dieses Dokuments: urn:nbn:de:bvb:355-epub-291593

Münnich, Gerhard, Donarini, Andrea, Wenderoth, Martin und Repp, Jascha (2013) Fixing the Energy Scale in Scanning Tunneling Microscopy on Semiconductor Surfaces. Physical Review Letters 111, S. 216802.

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Andere URL zum Volltext: http://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRevLett.111.216802


Zusammenfassung

In scanning tunneling experiments on semiconductor surfaces, the energy scale within the tunneling junction is usually unknown due to tip-induced band bending. Here, we experimentally recover the zero point of the energy scale by combining scanning tunneling microscopy with Kelvin probe force spectroscopy. With this technique, we revisit shallow acceptors buried in GaAs. Enhanced acceptor-related ...

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Dokumentenart:Artikel
Datum:19 November 2013
Institutionen:Physik > Institut für Theoretische Physik > Lehrstuhl Professor Grifoni > Arbeitsgruppe Milena Grifoni
Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Lehrstuhl Professor Giessibl > Arbeitsgruppe Jascha Repp
Projekte:Volkswagen Foundation (Lichtenberg Program), SPP 1243: Quantum transport at the molecular scale, SFB 689: Spinphänomene in reduzierten Dimensionen, SPP 1285: Halbleiter Spintronik
Identifikationsnummer:
WertTyp
10.1103/PhysRevLett.111.216802DOI
Klassifikation:
NotationArt
73.40.GkPACS
71.55.EqPACS
73.20.-rPACS
73.40.QvPACS
Stichwörter / Keywords:Resonant tunneling, III-V Semiconductors, impurity and defect levels, Metal-insulator-semiconductor structures
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Ja, diese Version wurde begutachtet
An der Universität Regensburg entstanden:Ja
Eingebracht am:04 Dez 2013 11:17
Zuletzt geändert:08 Mrz 2017 08:37
Dokumenten-ID:29159
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