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Response of the topological surface state to surface disorder in TIBiSe2

URN zum Zitieren dieses Dokuments: urn:nbn:de:bvb:355-epub-317592

Pielmeier, Florian, Landolt, Gabriel, Slomski, Bartosz, Muff, Stefan, Berwanger, Julian, Eich, Andreas, Khajetoorians, Alexander A., Wiebe, Jens, Aliev, Ziya S., Babanly, Mahammad B., Wiesendanger, Roland, Osterwalder, Jürg, Chulkov, Evgueni V., Giessibl, Franz J. und Dil, J . Hugo (2015) Response of the topological surface state to surface disorder in TIBiSe2. New Journal of Physics 17, 023067.

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Zusammenfassung

Through a combination of experimental techniques we show that the topmost layer of the topological insulator TlBiSe2 as prepared by cleavage is formed by irregularly shaped Tl islands at cryogenic temperatures and by mobile Tl atoms at room temperature. No trivial surface states are observed in photoemission at low temperatures, which suggests that these islands cannot be regarded as a clear ...

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Dokumentenart:Artikel
Datum:24 Februar 2015
Institutionen:Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Lehrstuhl Professor Giessibl > Arbeitsgruppe Franz J. Giessibl
Projekte:SFB 689: Spinphänomene in reduzierten Dimensionen
Identifikationsnummer:
WertTyp
doi:10.1088/1367-2630/17/2/023067DOI
Stichwörter / Keywords:topological insulator, topological surface state, scanning tunneling microscopy, atomic force microscopy, angle resolved photoemission spectroscopy
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Ja, diese Version wurde begutachtet
An der Universität Regensburg entstanden:Ja
Eingebracht am:29 Apr 2015 10:08
Zuletzt geändert:08 Mrz 2017 08:38
Dokumenten-ID:31759
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