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Ferromagnet/Semiconductor interfaces: Spin injection and Anisotropic polar magneto-optic Kerr effect

URN zum Zitieren dieses Dokuments: urn:nbn:de:bvb:355-epub-364324

Buchner, Martin (2017) Ferromagnet/Semiconductor interfaces: Spin injection and Anisotropic polar magneto-optic Kerr effect. Dissertation, Universität Regensburg.

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Zusammenfassung (Englisch)

In this thesis basic research in the field of semiconductor spintronics is performed. Electron spin injection from ferromagnetic contacts into GaAs-based heterostructure systems is investigated by employing scanning Kerr microscopy at the cleaved edge of the samples. The experiments suggest that spin diffusion and charge diffusion in bulk n-GaAs samples have comparable strengths. In contrast, ...

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Übersetzung der Zusammenfassung (Deutsch)

Diese Arbeit beschäftigt sich mit Grundlagenforschung auf dem Gebiet der Halbleiter-Spintronik. Elektronenspininjektion von ferromagnetischen Kontakten in GaAs-basierte Heterostruktursysteme wird mithilfe von Kerrmikroskopie an der Spaltkante der Proben untersucht. Die Experimente zeigen, dass Spindiffusion und Ladungsdiffusion in bulk n-GaAs Proben eine vergleichbare Stärke besitzen. Im ...

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Dokumentenart:Hochschulschrift der Universität Regensburg (Dissertation)
Datum:11 Dezember 2017
Begutachter (Erstgutachter):Prof. Dr. Christian H. Back
Tag der Prüfung:4 Dezember 2017
Institutionen:Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Lehrstuhl Professor Back > Arbeitsgruppe Christian Back
Stichwörter / Keywords:Semiconductor spintronics, electrical spin injection, thermal spin injection, 2DEG, spin relaxation anisotropy, Hanle effect, spin-orbit coupling fields, Fe/GaAs(001), polar magneto-optic Kerr effect
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Ja, diese Version wurde begutachtet
An der Universität Regensburg entstanden:Ja
Eingebracht am:11 Dez 2017 09:59
Zuletzt geändert:01 Jun 2018 11:34
Dokumenten-ID:36432
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