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- URN to cite this document:
- urn:nbn:de:bvb:355-epub-400702
- DOI to cite this document:
- 10.5283/epub.40070
Abstract (German)
Diese Arbeit behandelt elektronischen Transport in Graphen unter Einfluss eines eindimensionalen, periodischen Potentials. Das Übergitter wird dem Graphen über ein strukturiertes Top- bzw. Bottomgate aufgeprägt, wobei sich plasmageätztes Mehrlagengraphen als optimale Gateelektrode für das in hexagonales Bornitrid eingekapselte, hochbewegliche Graphen herausgestellt hat. Aufgrund der Ambipolarität ...

Translation of the abstract (English)
This work treats electronic transport in graphene under the influence of a one-dimensional, periodic potential. The superlattice in graphene is generated via patterned top- or bottom gates. Here, plasma-etched few-layer graphene emerges as an ideal gate electrode material for modulating the graphene, encapsulated in hexagonal boron nitride graphene, preserving its high mobility. Due to the ...

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