Startseite UR

Characterization and Manipulation of N-face Gallium Nitride Etching in Alkaline Solution

URN zum Zitieren dieses Dokuments:
urn:nbn:de:bvb:355-epub-416772
DOI zum Zitieren dieses Dokuments:
10.5283/epub.41677
Tautz, Markus
[img]
Vorschau
Lizenz: Creative Commons Namensnennung 4.0 International
PDF - Angenommene Version
(14MB)
Veröffentlichungsdatum dieses Volltextes: 17 Feb 2022 06:48


Zusammenfassung (Englisch)

Gallium nitride (GaN) is the key material for the production of blue and white light emitting diodes (LEDs). An important step during their production is the creation of a rough GaN surface. Thereby, light emission efficiency is significantly increased. Effectively, total internal reflection of generated photons on the flat interface between GaN and air is minimized by surface roughening. A ...

plus

Übersetzung der Zusammenfassung (Deutsch)

Galliumnitrid (GaN) ist das Schlüsselmaterial zur Herstellung blauer und weißer Leuchtdioden (LEDs). Ein wichtiger Schritt bei ihrer Herstellung ist die Erzeugung einer rauen GaN-Oberfläche. Dadurch wird die Effizienz der Lichtemission signifikant erhöht. Tatsächlich wird die interne Totalreflexion der erzeugten Photonen an der flachen Grenzfläche zwischen GaN und Luft durch Aufrauen der ...

plus


Nur für Besitzer und Autoren: Kontrollseite des Eintrags
  1. Universität

Universitätsbibliothek

Publikationsserver

Kontakt:

Publizieren: oa@ur.de
0941 943 -4239 oder -69394

Dissertationen: dissertationen@ur.de
0941 943 -3904

Forschungsdaten: datahub@ur.de
0941 943 -5707

Ansprechpartner