Startseite UR

Anisotropy and Mechanistic Elucidation of Wet-Chemical Gallium Nitride Etching at the Atomic Level

URN zum Zitieren dieses Dokuments:
urn:nbn:de:bvb:355-epub-446320
DOI zum Zitieren dieses Dokuments:
10.5283/epub.44632
Tautz, Markus ; Weimar, Andreasa ; Graßl, Christian ; Diaz Diaz, David ;
[img]
Vorschau
Lizenz: Creative Commons Namensnennung 4.0 International
PDF - Veröffentlichte Version
(3MB)
Veröffentlichungsdatum dieses Volltextes: 27 Jan 2021 12:58

Diese Publikation ist Teil des DEAL-Vertrags mit Wiley.


Zusammenfassung

Etching of gallium nitride is a key step in the production of blue and white light-emitting diodes (LEDs). Etching in aqueous KOH solution creates a rough surface on the LED chip to facilitate outcoupling of the photons generated, drastically increasing the resulting LED's efficiency. Compared with the common technique of dry etching, wet-chemical etching using aqueous KOH solution has ...

plus


Nur für Besitzer und Autoren: Kontrollseite des Eintrags
  1. Universität

Universitätsbibliothek

Publikationsserver

Kontakt:

Publizieren: oa@ur.de
0941 943 -4239 oder -69394

Dissertationen: dissertationen@ur.de
0941 943 -3904

Forschungsdaten: datahub@ur.de
0941 943 -5707

Ansprechpartner