Cyclotron-resonance-induced photogalvanic effect in surface states of 200-nm-thick strained HgTe films
Artikel
Candussio, S., Budkin, G. V.
, Otteneder, M., Kozlov, D. A., Dmitriev, I. A., Bel'kov, V. V., Kvon, Z. D., Mikhailov, N. N., Dvoretsky, S. A. und Ganichev, S. D.
(2019)
Cyclotron-resonance-induced photogalvanic effect in surface states of 200-nm-thick strained HgTe films.
Physical Review Materials 3 (5).
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Beteiligte Einrichtungen
Details
| Dokumentenart | Artikel | ||||
| Titel eines Journals oder einer Zeitschrift | Physical Review Materials | ||||
| Verlag | AMER PHYSICAL SOC | ||||
| Ort der Veröffentlichung | COLLEGE PK | ||||
| Band | 3 | ||||
| Nummer des Zeitschriftenheftes oder des Kapitels | 5 | ||||
| Datum | 2019 | ||||
| Veröffentlichungsdatum | 03 Sep 2021 10:02 | ||||
| Institutionen | Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Professor Ganichev > Arbeitsgruppe Sergey Ganichev | ||||
| Identifikationsnummer |
| ||||
| Stichwörter / Keywords | MISFIT; SPIN; DISLOCATIONS; GROWTH; | ||||
| Dewey-Dezimal-Klassifikation | 500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik | ||||
| Status | Veröffentlicht | ||||
| Begutachtet | Ja, diese Version wurde begutachtet | ||||
| An der Universität Regensburg entstanden | Ja | ||||
| Dokumenten-ID | 48657 |
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