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Candussio, S. ; Budkin, G. V. ; Otteneder, M. ; Kozlov, D. A. ; Dmitriev, I. A. ; Bel'kov, V. V. ; Kvon, Z. D. ; Mikhailov, N. N. ; Dvoretsky, S. A. ; Ganichev, S. D.

Cyclotron-resonance-induced photogalvanic effect in surface states of 200-nm-thick strained HgTe films

Candussio, S., Budkin, G. V. , Otteneder, M., Kozlov, D. A., Dmitriev, I. A., Bel'kov, V. V., Kvon, Z. D., Mikhailov, N. N., Dvoretsky, S. A. und Ganichev, S. D. (2019) Cyclotron-resonance-induced photogalvanic effect in surface states of 200-nm-thick strained HgTe films. Physical Review Materials 3 (5).

Veröffentlichungsdatum dieses Volltextes: 03 Sep 2021 10:02
Artikel



Beteiligte Einrichtungen


Details

DokumentenartArtikel
Titel eines Journals oder einer ZeitschriftPhysical Review Materials
Verlag:AMER PHYSICAL SOC
Ort der Veröffentlichung:COLLEGE PK
Band:3
Nummer des Zeitschriftenheftes oder des Kapitels:5
Datum2019
InstitutionenPhysik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik
Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Professor Ganichev > Arbeitsgruppe Sergey Ganichev
Identifikationsnummer
WertTyp
10.1103/PhysRevMaterials.3.054205DOI
Stichwörter / KeywordsMISFIT; SPIN; DISLOCATIONS; GROWTH;
Dewey-Dezimal-Klassifikation500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
StatusVeröffentlicht
BegutachtetJa, diese Version wurde begutachtet
An der Universität Regensburg entstandenJa
Dokumenten-ID48657

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