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Epitaxial heterostructures of topological insulators: band engineering and electronic transport

URN to cite this document:
DOI to cite this document:
Mayer, Thomas
Date of publication of this fulltext: 14 Sep 2021 06:30

Abstract (English)

The main focus of this thesis was the development and investigation of reliable and high quality MBE grown quaternary (Bi1-xSbx)2(Te1-ySey)3 (BSTS) samples. The promise of this topological insulator (TI) alloy is twofold: on the one hand, effective suppression of parasitic bulk conductivity along with high mobility surface transport has already been reported for certain alloy ratios. Secondly, ...


Translation of the abstract (German)

Der Fokus dieser Arbeit lag auf der Entwicklung und Untersuchung von reproduzierbaren und qualitativ hochwertigen MBE gewachsenen Proben der vierwertigen Legierung (Bi1-xSbx)2(Te1-ySey)3 (BSTS). Dieser topologische Isolator (TI) bietet zwei Vorteile: einerseits wurde bereits eine effektive Unterdrückung parasitärer Volumenleitfähigkeit für bestimmte Legierungszusammensetzungen berichtet. Darüber ...


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