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Epitaxial heterostructures of topological insulators: band engineering and electronic transport

URN to cite this document:
urn:nbn:de:bvb:355-epub-493048
DOI to cite this document:
10.5283/epub.49304
Mayer, Thomas
Date of publication of this fulltext: 14 Sep 2021 06:30


Abstract (English)

The main focus of this thesis was the development and investigation of reliable and high quality MBE grown quaternary (Bi1-xSbx)2(Te1-ySey)3 (BSTS) samples. The promise of this topological insulator (TI) alloy is twofold: on the one hand, effective suppression of parasitic bulk conductivity along with high mobility surface transport has already been reported for certain alloy ratios. Secondly, ...

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Translation of the abstract (German)

Der Fokus dieser Arbeit lag auf der Entwicklung und Untersuchung von reproduzierbaren und qualitativ hochwertigen MBE gewachsenen Proben der vierwertigen Legierung (Bi1-xSbx)2(Te1-ySey)3 (BSTS). Dieser topologische Isolator (TI) bietet zwei Vorteile: einerseits wurde bereits eine effektive Unterdrückung parasitärer Volumenleitfähigkeit für bestimmte Legierungszusammensetzungen berichtet. Darüber ...

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