Direkt zum Inhalt

Arakawa, T. ; Shiogai, J. ; Maeda, M. ; Ciorga, M. ; Utz, M. ; Schuh, D. ; Niimi, Y. ; Kohda, M. ; Nitta, J. ; Bougeard, D. ; Weiss, D. ; Kobayashi, K.

Tunneling mechanism in a (Ga,Mn)As/GaAs-based spin Esaki diode investigated by bias-dependent shot noise measurements

Arakawa, T., Shiogai, J. , Maeda, M., Ciorga, M., Utz, M., Schuh, D., Niimi, Y. , Kohda, M. , Nitta, J., Bougeard, D., Weiss, D. und Kobayashi, K. (2020) Tunneling mechanism in a (Ga,Mn)As/GaAs-based spin Esaki diode investigated by bias-dependent shot noise measurements. Physical Review B 102 (4).

Veröffentlichungsdatum dieses Volltextes: 11 Okt 2021 12:46
Artikel



Beteiligte Einrichtungen


Details

DokumentenartArtikel
Titel eines Journals oder einer ZeitschriftPhysical Review B
Verlag:AMER PHYSICAL SOC
Ort der Veröffentlichung:COLLEGE PK
Band:102
Nummer des Zeitschriftenheftes oder des Kapitels:4
Datum2020
InstitutionenPhysik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik
Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Lehrstuhl Professor Huber > Arbeitsgruppe Dominique Bougeard
Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Lehrstuhl Professor Weiss > Arbeitsgruppe Dieter Weiss
Identifikationsnummer
WertTyp
10.1103/PhysRevB.102.045308DOI
Stichwörter / KeywordsELECTRICAL DETECTION; TRANSPORT; SUPPRESSION; UNIVERSALITY; PRECESSION;
Dewey-Dezimal-Klassifikation500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
StatusVeröffentlicht
BegutachtetJa, diese Version wurde begutachtet
An der Universität Regensburg entstandenJa
Dokumenten-ID49840

Bibliographische Daten exportieren

Nur für Besitzer und Autoren: Kontrollseite des Eintrags

nach oben