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Resonant Raman spectroscopy of low-dimensional semiconductor structures

URN to cite this document:
urn:nbn:de:bvb:355-epub-531017
DOI to cite this document:
10.5283/epub.53101
Meier, Sebastian
Date of publication of this fulltext: 24 Oct 2022 11:46



Abstract (English)

This thesis focuses on resonant Raman spectroscopy in the near infrared range. A tunable Ti:Sapphire laser is used to selectively hit electronic transitions in the investigated samples, leading to the observation of so far unknown Raman features in two different material systems. The first material system studied are wurtzite GaAs nanowires. These wires are grown by a MBE system and can be ...

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Translation of the abstract (German)

Diese Arbeit beschäftigt sich mit resonanter Raman-Spektroskopie im nah-infraroten Spektralbereich. Mit Hilfe eines stimmbaren Titan:Saphire-Lasers werden gezielt reale elektronische Übergange angeregt und damit bisher unbekannte Raman-Effekte in zwei verschiedenen Materialsystemen beobachtet. Beim ersten Materialsystem handelt es sich um wurtzite GaAs-Nanodrähte. Diese werden in einem ...

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