Quantitatively Deciphering Electronic Properties of Defects at Atomically Thin Transition-Metal Dichalcogenides
Wu, Si-Si, Huang, Teng-Xiang, Xu, Xiaolan, Bao, Yi-Fan, Pei, Xin-Di, Yao, Xu, Cao, Mao-Feng, Lin, Kai-Qiang
, Wang, Xiang , Wang, Dongdong und Ren, Bin
(2022)
Quantitatively Deciphering Electronic Properties of Defects at Atomically Thin Transition-Metal Dichalcogenides.
ACS Nano 16 (3), S. 4786-4794.
Veröffentlichungsdatum dieses Volltextes: 29 Feb 2024 12:56
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Beteiligte Einrichtungen
Details
| Dokumentenart | Artikel | ||||
| Titel eines Journals oder einer Zeitschrift | ACS Nano | ||||
| Verlag: | AMER CHEMICAL SOC | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| Ort der Veröffentlichung: | WASHINGTON | ||||
| Band: | 16 | ||||
| Nummer des Zeitschriftenheftes oder des Kapitels: | 3 | ||||
| Seitenbereich: | S. 4786-4794 | ||||
| Datum | 2022 | ||||
| Institutionen | Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik | ||||
| Identifikationsnummer |
| ||||
| Stichwörter / Keywords | SINGLE-LAYER MOS2; HYDROGEN EVOLUTION; CATALYTIC-ACTIVITY; MONOLAYER MOS2; PHOTOLUMINESCENCE; BILAYER; STATES; TIP; transition-metal dichalcogenides; tip-enhanced photoluminescence; defects; exciton; doping; strain | ||||
| Dewey-Dezimal-Klassifikation | 500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik | ||||
| Status | Veröffentlicht | ||||
| Begutachtet | Ja, diese Version wurde begutachtet | ||||
| An der Universität Regensburg entstanden | Ja | ||||
| Dokumenten-ID | 57528 |
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