Analysis of indium incorporation in non- and semipolar GaInN QW structures: comparing x-ray diffraction and optical properties
Artikel
Jönen, H, Bremers, H, Rossow, U, Langer, T, Kruse, A, Hoffmann, L, Thalmair, J, Zweck, J, Schwaiger, S, Scholz, F und Hangleiter, A
(2012)
Analysis of indium incorporation in non- and semipolar GaInN QW structures: comparing x-ray diffraction and optical properties.
Semiconductor Science and Technology 27 (2), 024013.
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Beteiligte Einrichtungen
Details
| Dokumentenart | Artikel | ||||
| Titel eines Journals oder einer Zeitschrift | Semiconductor Science and Technology | ||||
| Verlag | IOP PUBLISHING LTD | ||||
| Ort der Veröffentlichung | BRISTOL | ||||
| Band | 27 | ||||
| Nummer des Zeitschriftenheftes oder des Kapitels | 2 | ||||
| Seitenbereich | 024013 | ||||
| Datum | 2012 | ||||
| Veröffentlichungsdatum | 19 Dez 2024 09:43 | ||||
| Institutionen | Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Entpflichtete oder im Ruhestand befindliche Professoren > Lehrstuhl Professor Back > Arbeitsgruppe Josef Zweck | ||||
| Identifikationsnummer |
| ||||
| Stichwörter / Keywords | LIGHT-EMITTING-DIODES; QUANTUM-WELLS; PLANE GAN; SEMICONDUCTORS; FIELDS; POLARIZATION; LIFETIME; ALLOYS; LAYERS; INGAN; | ||||
| Dewey-Dezimal-Klassifikation | 500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik | ||||
| Status | Veröffentlicht | ||||
| Begutachtet | Ja, diese Version wurde begutachtet | ||||
| An der Universität Regensburg entstanden | Ja | ||||
| Dokumenten-ID | 64087 |
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