Wunderer, T. ; Feneberg, M. 
; Lipski, F. ; Wang, J. ; Leute, R. A. R. ; Schwaiger, S. ; Thonke, K. ; Chuvilin, A. ; Kaiser, U. ; Metzner, S. ; Bertram, F. ; Christen, J. ; Beirne, G. J. ; Jetter, M. ; Michler, P. ; Schade, L. ; Vierheilig, C. ; Schwarz, U. T. ; Dräger, A. D. ; Hangleiter, A. ; Scholz, F.
; Lipski, F. ; Wang, J. ; Leute, R. A. R. ; Schwaiger, S. ; Thonke, K. ; Chuvilin, A. ; Kaiser, U. ; Metzner, S. ; Bertram, F. ; Christen, J. ; Beirne, G. J. ; Jetter, M. ; Michler, P. ; Schade, L. ; Vierheilig, C. ; Schwarz, U. T. ; Dräger, A. D. ; Hangleiter, A. ; Scholz, F. Three‐dimensional GaN for semipolar light emitters
Wunderer, T., Feneberg, M., Lipski, F., Wang, J., Leute, R. A. R., Schwaiger, S., Thonke, K., Chuvilin, A. , Kaiser, U., Metzner, S., Bertram, F. , Christen, J., Beirne, G. J., Jetter, M. , Michler, P., Schade, L., Vierheilig, C., Schwarz, U. T., Dräger, A. D., Hangleiter, A. und Scholz, F.
(2011)
Three‐dimensional GaN for semipolar light emitters.
physica status solidi (b) 248 (3), S. 549-560.
Veröffentlichungsdatum dieses Volltextes: 19 Dez 2024 11:13
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Beteiligte Einrichtungen
Details
| Dokumentenart | Artikel | ||||
| Titel eines Journals oder einer Zeitschrift | physica status solidi (b) | ||||
| Verlag: | WILEY-V C H VERLAG GMBH | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| Ort der Veröffentlichung: | WEINHEIM | ||||
| Band: | 248 | ||||
| Nummer des Zeitschriftenheftes oder des Kapitels: | 3 | ||||
| Seitenbereich: | S. 549-560 | ||||
| Datum | 2011 | ||||
| Institutionen | Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik | ||||
| Identifikationsnummer |
| ||||
| Stichwörter / Keywords | CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION; A-PLANE GAN; EPITAXIAL LATERAL OVERGROWTH; SELECTIVE-AREA GROWTH; BULK INGAN FILMS; QUANTUM-WELLS; EMITTING-DIODES; PIEZOELECTRIC FIELDS; SIDE FACETS; NONPOLAR; InGaN; light-emitting devices; quantum wells; III-V semiconductors | ||||
| Dewey-Dezimal-Klassifikation | 500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik | ||||
| Status | Veröffentlicht | ||||
| Begutachtet | Ja, diese Version wurde begutachtet | ||||
| An der Universität Regensburg entstanden | Ja | ||||
| Dokumenten-ID | 65167 |
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