Highly conductive modulation doped composition graded p-AlGaN/(AlN)/GaN multiheterostructures grown by metalorganic vapor phase epitaxy
Artikel
Hertkorn, J., Thapa, S. B., Wunderer, T., Scholz, F., Wu, Z. H., Wei, Q. Y., Ponce, F. A.
, Moram, M. A., Humphreys, C. J., Vierheilig, C. und Schwarz, U. T.
(2009)
Highly conductive modulation doped composition graded p-AlGaN/(AlN)/GaN multiheterostructures grown by metalorganic vapor phase epitaxy.
Journal of Applied Physics 106 (1).
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Beteiligte Einrichtungen
Details
| Dokumentenart | Artikel | ||||
| Titel eines Journals oder einer Zeitschrift | Journal of Applied Physics | ||||
| Verlag | AMER INST PHYSICS | ||||
| Ort der Veröffentlichung | MELVILLE | ||||
| Band | 106 | ||||
| Nummer des Zeitschriftenheftes oder des Kapitels | 1 | ||||
| Datum | 2009 | ||||
| Veröffentlichungsdatum | 19 Dez 2024 12:05 | ||||
| Institutionen | Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Entpflichtete oder im Ruhestand befindliche Professoren > Arbeitsgruppe Ulrich Schwarz | ||||
| Identifikationsnummer |
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| Stichwörter / Keywords | ALGAN/GAN SUPERLATTICES; GAN; HETEROSTRUCTURES; TRANSPORT; SEMICONDUCTORS; NUCLEATION; SAPPHIRE; QUALITY; LAYER; aluminium compounds; electrical conductivity; electroluminescence; electron holography; gallium compounds; Hall effect; hole density; hole mobility; III-V semiconductors; light emitting diodes; MOCVD; reflectometry; semiconductor heterojunctions; valence bands; vapour phase epitaxial growth; wide band gap semiconductors; X-ray diffraction; X-ray reflection | ||||
| Dewey-Dezimal-Klassifikation | 500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik | ||||
| Status | Veröffentlicht | ||||
| Begutachtet | Ja, diese Version wurde begutachtet | ||||
| An der Universität Regensburg entstanden | Ja | ||||
| Dokumenten-ID | 67069 |
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