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Hölzl, R. ; Fabry, L. ; Range, K.J.

The linkage between macroscopic gettering mechanisms and electronic configuration of 3d-elements in p/p+ epitaxial silicon wafers

Hölzl, R., Fabry, L. und Range, K.J. (2002) The linkage between macroscopic gettering mechanisms and electronic configuration of 3d-elements in p/p+ epitaxial silicon wafers. Applied Physics A 74 (1), S. 35-39.

Veröffentlichungsdatum dieses Volltextes: 19 Dez 2024 15:46
Artikel



Beteiligte Einrichtungen


Details

DokumentenartArtikel
Titel eines Journals oder einer ZeitschriftApplied Physics A
Verlag:SPRINGER-VERLAG
Ort der Veröffentlichung:NEW YORK
Band:74
Nummer des Zeitschriftenheftes oder des Kapitels:1
Seitenbereich:S. 35-39
Datum2002
InstitutionenChemie und Pharmazie > Institut für Anorganische Chemie > Entpflichtete oder im Ruhestand befindliche Professoren > Prof. Dr. Klaus-Jürgen Range
Identifikationsnummer
WertTyp
10.1007/s003390100866DOI
Stichwörter / KeywordsMASS-SPECTROMETRY; COPPER; IMPURITIES; DIFFUSION; CONTAMINATION; NANOCAVITIES; SOLUBILITY; IONS; CU; NI;
Dewey-Dezimal-Klassifikation500 Naturwissenschaften und Mathematik > 540 Chemie
StatusVeröffentlicht
BegutachtetJa, diese Version wurde begutachtet
An der Universität Regensburg entstandenJa
Dokumenten-ID73216

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