The linkage between macroscopic gettering mechanisms and electronic configuration of 3d-elements in p/p+ epitaxial silicon wafers
Hölzl, R., Fabry, L. und Range, K.J. (2002) The linkage between macroscopic gettering mechanisms and electronic configuration of 3d-elements in p/p+ epitaxial silicon wafers. Applied Physics A 74 (1), S. 35-39.Veröffentlichungsdatum dieses Volltextes: 19 Dez 2024 15:46
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Details
| Dokumentenart | Artikel | ||||
| Titel eines Journals oder einer Zeitschrift | Applied Physics A | ||||
| Verlag: | SPRINGER-VERLAG | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| Ort der Veröffentlichung: | NEW YORK | ||||
| Band: | 74 | ||||
| Nummer des Zeitschriftenheftes oder des Kapitels: | 1 | ||||
| Seitenbereich: | S. 35-39 | ||||
| Datum | 2002 | ||||
| Institutionen | Chemie und Pharmazie > Institut für Anorganische Chemie > Entpflichtete oder im Ruhestand befindliche Professoren > Prof. Dr. Klaus-Jürgen Range | ||||
| Identifikationsnummer |
| ||||
| Stichwörter / Keywords | MASS-SPECTROMETRY; COPPER; IMPURITIES; DIFFUSION; CONTAMINATION; NANOCAVITIES; SOLUBILITY; IONS; CU; NI; | ||||
| Dewey-Dezimal-Klassifikation | 500 Naturwissenschaften und Mathematik > 540 Chemie | ||||
| Status | Veröffentlicht | ||||
| Begutachtet | Ja, diese Version wurde begutachtet | ||||
| An der Universität Regensburg entstanden | Ja | ||||
| Dokumenten-ID | 73216 |
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