Gettering efficiencies for Cu and Ni as a function of size and density of oxygen precipitates in p/p- silicon epitaxial wafers
Hölzl, R., Fabry, L. und Range, K.J. (2001) Gettering efficiencies for Cu and Ni as a function of size and density of oxygen precipitates in p/p- silicon epitaxial wafers. Applied Physics A Materials Science & Processing 73 (2), S. 137-142.Veröffentlichungsdatum dieses Volltextes: 19 Dez 2024 15:50
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Details
| Dokumentenart | Artikel | ||||
| Titel eines Journals oder einer Zeitschrift | Applied Physics A Materials Science & Processing | ||||
| Verlag: | SPRINGER | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| Ort der Veröffentlichung: | NEW YORK | ||||
| Band: | 73 | ||||
| Nummer des Zeitschriftenheftes oder des Kapitels: | 2 | ||||
| Seitenbereich: | S. 137-142 | ||||
| Datum | 2001 | ||||
| Institutionen | Chemie und Pharmazie > Institut für Anorganische Chemie > Entpflichtete oder im Ruhestand befindliche Professoren > Prof. Dr. Klaus-Jürgen Range | ||||
| Identifikationsnummer |
| ||||
| Stichwörter / Keywords | P-TYPE SILICON; TRANSIENT ION-DRIFT; DIFFUSION-COEFFICIENT; COPPER CONTAMINATION; INTERSTITIAL COPPER; TRANSITION-METALS; MASS-SPECTROMETRY; DEFECTS; FE; NANOCAVITIES; | ||||
| Dewey-Dezimal-Klassifikation | 500 Naturwissenschaften und Mathematik > 540 Chemie | ||||
| Status | Veröffentlicht | ||||
| Begutachtet | Ja, diese Version wurde begutachtet | ||||
| An der Universität Regensburg entstanden | Ja | ||||
| Dokumenten-ID | 73509 |
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