Integrity of ultrathin gate oxides with different oxide thickness, substrate wafers and metallic contaminations
Hölzl, R., Huber, A., Fabry, L., Range, K.-J. und Blietz, M. (2001) Integrity of ultrathin gate oxides with different oxide thickness, substrate wafers and metallic contaminations. Applied Physics A Materials Science & Processing 72 (3), S. 351-356.Veröffentlichungsdatum dieses Volltextes: 19 Dez 2024 15:53
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Beteiligte Einrichtungen
Details
| Dokumentenart | Artikel | ||||
| Titel eines Journals oder einer Zeitschrift | Applied Physics A Materials Science & Processing | ||||
| Verlag: | SPRINGER | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| Ort der Veröffentlichung: | NEW YORK | ||||
| Band: | 72 | ||||
| Nummer des Zeitschriftenheftes oder des Kapitels: | 3 | ||||
| Seitenbereich: | S. 351-356 | ||||
| Datum | 2001 | ||||
| Institutionen | Chemie und Pharmazie > Institut für Anorganische Chemie > Entpflichtete oder im Ruhestand befindliche Professoren > Prof. Dr. Klaus-Jürgen Range | ||||
| Identifikationsnummer |
| ||||
| Stichwörter / Keywords | SILICON; BREAKDOWN; COPPER; IRON; IMPACT; | ||||
| Dewey-Dezimal-Klassifikation | 500 Naturwissenschaften und Mathematik > 540 Chemie | ||||
| Status | Veröffentlicht | ||||
| Begutachtet | Ja, diese Version wurde begutachtet | ||||
| An der Universität Regensburg entstanden | Ja | ||||
| Dokumenten-ID | 73777 |
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