Transient conduction in multidielectric silicon–oxide–nitride–oxide semiconductor structures
Bachhofer, H., Reisinger, H., Bertagnolli, E. und von Philipsborn, H. (2001) Transient conduction in multidielectric silicon–oxide–nitride–oxide semiconductor structures. Journal of Applied Physics 89 (5), S. 2791-2800.Veröffentlichungsdatum dieses Volltextes: 19 Dez 2024 15:53
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Beteiligte Einrichtungen
Details
| Dokumentenart | Artikel | ||||
| Titel eines Journals oder einer Zeitschrift | Journal of Applied Physics | ||||
| Verlag: | AMER INST PHYSICS | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| Ort der Veröffentlichung: | MELVILLE | ||||
| Band: | 89 | ||||
| Nummer des Zeitschriftenheftes oder des Kapitels: | 5 | ||||
| Seitenbereich: | S. 2791-2800 | ||||
| Datum | 2001 | ||||
| Institutionen | Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik | ||||
| Identifikationsnummer |
| ||||
| Stichwörter / Keywords | MONOS MEMORY DEVICES; CHARGE TRANSPORT; VOLTAGE; EEPROM; SI3N4; FILMS; | ||||
| Dewey-Dezimal-Klassifikation | 500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik | ||||
| Status | Veröffentlicht | ||||
| Begutachtet | Ja, diese Version wurde begutachtet | ||||
| An der Universität Regensburg entstanden | Ja | ||||
| Dokumenten-ID | 73796 |
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