Cubic GaN epilayers grown by molecular beam epitaxy on thin β-SiC/Si (001) substrates
As, D. J., Frey, T., Schikora, D., Lischka, K., Cimalla, V., Pezoldt, J., Goldhahn, R.
, Kaiser, S. und Gebhardt, W.
(2000)
Cubic GaN epilayers grown by molecular beam epitaxy on thin β-SiC/Si (001) substrates.
Applied Physics Letters 76 (13), S. 1686-1688.
Veröffentlichungsdatum dieses Volltextes: 19 Dez 2024 15:59
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Beteiligte Einrichtungen
Details
| Dokumentenart | Artikel | ||||
| Titel eines Journals oder einer Zeitschrift | Applied Physics Letters | ||||
| Verlag: | AMER INST PHYSICS | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| Ort der Veröffentlichung: | MELVILLE | ||||
| Band: | 76 | ||||
| Nummer des Zeitschriftenheftes oder des Kapitels: | 13 | ||||
| Seitenbereich: | S. 1686-1688 | ||||
| Datum | 2000 | ||||
| Institutionen | Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik | ||||
| Identifikationsnummer |
| ||||
| Stichwörter / Keywords | LAYERS; | ||||
| Dewey-Dezimal-Klassifikation | 500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik | ||||
| Status | Veröffentlicht | ||||
| Begutachtet | Ja, diese Version wurde begutachtet | ||||
| An der Universität Regensburg entstanden | Ja | ||||
| Dokumenten-ID | 74369 |
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