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- URN zum Zitieren dieses Dokuments:
- urn:nbn:de:bvb:355-epub-791823
- DOI zum Zitieren dieses Dokuments:
- 10.5283/epub.79182
Hutin, L. ; Lundberg, T. ; Chatterjee, A. ; Crippa, A. ; Li, J. ; Maurand, R. ; Jehl, X. ; Sanquer, M. ; Gonzalez-Zalba, M. F. ; Kuemmeth, Ferdinand 
; Niquet, Y.-M. ; Bertrand, B. ; De Franceschi, S. ; Urdampilleta, M. ; Meunier, T. ; Vinet, M. ; Chanrion, E. ; Bohuslavskyi, H. ; Ansaloni, F. ; Yang, T.-Y. ; Michniewicz, J. ; Niegemann, D. J. ; Spence, C.
; Niquet, Y.-M. ; Bertrand, B. ; De Franceschi, S. ; Urdampilleta, M. ; Meunier, T. ; Vinet, M. ; Chanrion, E. ; Bohuslavskyi, H. ; Ansaloni, F. ; Yang, T.-Y. ; Michniewicz, J. ; Niegemann, D. J. ; Spence, C. Zusammenfassung
We fabricated linear arrangements of multiple split-gate devices along an SOI mesa, thus forming a 2×N array of individually controllable Si quantum dots (QDs) with nearest neighbor coupling. We implemented two different gate reflectometry-based readout schemes to either probe spin-dependent charge movements by a coupled electrometer with single-shot precision, or directly sense a spin-dependent ...
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