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Untersuchungen zur metallorganischen Gasphasenepitaxie von Gruppe III Nitriden auf Silizium (111)

URN zum Zitieren dieses Dokuments: urn:nbn:de:bvb:355-opus-4534

Able, Andreas (2005) Untersuchungen zur metallorganischen Gasphasenepitaxie von Gruppe III Nitriden auf Silizium (111). Dissertation, Universität Regensburg.

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Zusammenfassung (Deutsch)

Ziel der vorliegenden Arbeit war es, einen geeigneten Epitaxieprozess für die Abscheidung einkristalliner Gruppe III-Nitrid Schichten auf Silizium zu entwickeln. Als Methode wurde dazu die metallorganische Gasphasenepitaxie (MOVPE) verwendet. In Kapitel 1-3 werden zunächst die wichtigsten Fakten zu den Gruppe-III Nitriden zusammengefasst, die experimentellen Charakterisierungsmethoden erläutert, ...

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Übersetzung der Zusammenfassung (Englisch)

In the last few years the attention on silicon as a potential substrate for nitride heterostructures has grown because of its low price, high quality, and availability in a wide range of doping levels. Furthermore, there might be the possibility of combining conventional Si based structures with group III-nitride films on a single wafer. Although the crystal structure of silicon is ...

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Dokumentenart:Hochschulschrift der Universität Regensburg (Dissertation)
Datum:30 Januar 2005
Begutachter (Erstgutachter):Werner (Prof. Dr.) Wegscheider
Tag der Prüfung:9 November 2004
Institutionen:Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Entpflichtete oder im Ruhestand befindliche Professoren > Arbeitsgruppe Werner Wegscheider
Stichwörter / Keywords:Wide-gap-Halbleiter , Nitride , gruppe III Nitride , widegap semiconductors , nitrides , group III nitrides
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Ja, diese Version wurde begutachtet
An der Universität Regensburg entstanden:Ja
Eingebracht am:27 Okt 2009 06:57
Zuletzt geändert:13 Mrz 2014 11:27
Dokumenten-ID:10283
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