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Untersuchungen zur metallorganischen Gasphasenepitaxie von Gruppe III Nitriden auf Silizium (111)

URN to cite this document: urn:nbn:de:bvb:355-opus-4534

Able, Andreas (2005) Untersuchungen zur metallorganischen Gasphasenepitaxie von Gruppe III Nitriden auf Silizium (111). PhD, Universität Regensburg

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Abstract (German)

Ziel der vorliegenden Arbeit war es, einen geeigneten Epitaxieprozess für die Abscheidung einkristalliner Gruppe III-Nitrid Schichten auf Silizium zu entwickeln. Als Methode wurde dazu die metallorganische Gasphasenepitaxie (MOVPE) verwendet. In Kapitel 1-3 werden zunächst die wichtigsten Fakten zu den Gruppe-III Nitriden zusammengefasst, die experimentellen Charakterisierungsmethoden erläutert, ...

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Translation of the abstract (English)

In the last few years the attention on silicon as a potential substrate for nitride heterostructures has grown because of its low price, high quality, and availability in a wide range of doping levels. Furthermore, there might be the possibility of combining conventional Si based structures with group III-nitride films on a single wafer. Although the crystal structure of silicon is ...

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Item Type:Thesis of the University of Regensburg (PhD)
Date:30 January 2005
Referee:Werner (Prof. Dr.) Wegscheider
Date of exam:9 November 2004
Institutions:Physics > Institute of Experimental and Applied Physics > Retired Professors > Group Werner Wegscheider
Keywords:Wide-gap-Halbleiter , Nitride , gruppe III Nitride , widegap semiconductors , nitrides , group III nitrides
Subjects:500 Science > 530 Physics
Status:Published
Refereed:Yes, this version has been refereed
Created at the University of Regensburg:Yes
Owner: Universitätsbibliothek Regensburg
Deposited On:27 Oct 2009 06:57
Last Modified:13 Mar 2014 11:27
Item ID:10283
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