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Beiträge zum ferroelektrischen Transistor und zu dessen Integration in nicht-flüchtige Speicher

URN zum Zitieren dieses Dokuments: urn:nbn:de:bvb:355-opus-5282

Haneder, Thomas (2005) Beiträge zum ferroelektrischen Transistor und zu dessen Integration in nicht-flüchtige Speicher. Dissertation, Universität Regensburg.

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Zusammenfassung (Deutsch)

Ferroelektrische Transistoren gelten als viel versprechende Bauelemente im Hinblick auf die Entwicklung neuer, nicht-flüchtiger mikroelektronischer Speicher. In dieser Arbeit werden Möglichkeiten zum Bau solcher Transistoren und daraus bestehender Speicher untersucht. Behandelt werden insbesondere Fragen des Transistoraufbaus, der Materialauswahl, der Herstellung und Charakterisierung, aber auch ...

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Übersetzung der Zusammenfassung (Englisch)

The ferroelectric field effect transistor is considered a promising candidate for future non-volatile memories in microelectronics. In this work we investigate different possibilities for building a ferroelectric transistor and memory cells composed of such transistors. Special emphasis is put on transistor gate stack design, materials to be used, processing and characterization of gate stacks, ...

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Dokumentenart:Hochschulschrift der Universität Regensburg (Dissertation)
Datum:6 Juli 2005
Begutachter (Erstgutachter):Henning (Prof. Dr.) von Philipsborn
Tag der Prüfung:28 Juni 2005
Institutionen:Physik
Klassifikation:
NotationArt
77.80.-ePACS
85.30.�zPACS
85.30.TvPACS
Stichwörter / Keywords:Feldeffekttransistor , MOS-FET , Ferroelektrizität , Integration <Mikroelektronik> , Mikroelektronik , Speicherzelle , Statischer Speicher , Speicherelement , Nichtflüchtiger Speicher , RAM , Integrierte Speicherschaltung , Speicher <Informatik> , MFIS-FET , SBT , CeO2 , ferroelektrischer Transistor , MFIS-FET , SBT , CeO2 , ferroelectric transistor
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Ja, diese Version wurde begutachtet
An der Universität Regensburg entstanden:Ja
Eingebracht am:27 Okt 2009 06:59
Zuletzt geändert:13 Mrz 2014 11:29
Dokumenten-ID:10321
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