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Beiträge zum ferroelektrischen Transistor und zu dessen Integration in nicht-flüchtige Speicher

URN to cite this document: urn:nbn:de:bvb:355-opus-5282

Haneder, Thomas (2005) Beiträge zum ferroelektrischen Transistor und zu dessen Integration in nicht-flüchtige Speicher. PhD, Universität Regensburg

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Abstract (German)

Ferroelektrische Transistoren gelten als viel versprechende Bauelemente im Hinblick auf die Entwicklung neuer, nicht-flüchtiger mikroelektronischer Speicher. In dieser Arbeit werden Möglichkeiten zum Bau solcher Transistoren und daraus bestehender Speicher untersucht. Behandelt werden insbesondere Fragen des Transistoraufbaus, der Materialauswahl, der Herstellung und Charakterisierung, aber auch die Integration ferroelektrischer Feldeffekttransistoren, also der Aufbau von Zellenfeldern eines Speichers.
Zum Abschluss werden neue Ideen rund um den ferroelektrischen Transistor vorgestellt, die im Rahmen dieser Arbeit entstanden sind.

Translation of the abstract (English)

The ferroelectric field effect transistor is considered a promising candidate for future non-volatile memories in microelectronics.
In this work we investigate different possibilities for building a ferroelectric transistor and memory cells composed of such transistors.
Special emphasis is put on transistor gate stack design, materials to be used, processing and characterization of gate stacks, and finally also on the integration of such devices into memory cells.
New ideas and concepts around the ferroelectric transistor are presented.

Item Type:

Thesis of the University of Regensburg (PhD)

Referee:

Henning (Prof. Dr.) von Philipsborn

Date of exam:

28 June 2005

Institutions:

Physics

Classification:

Notation	Type
77.80.-e	PACS
85.30.�z	PACS
85.30.Tv	PACS

Keywords:

Feldeffekttransistor , MOS-FET , Ferroelektrizität , Integration <Mikroelektronik> , Mikroelektronik , Speicherzelle , Statischer Speicher , Speicherelement , Nichtflüchtiger Speicher , RAM , Integrierte Speicherschaltung , Speicher <Informatik> , MFIS-FET , SBT , CeO2 , ferroelektrischer Transistor , MFIS-FET , SBT , CeO2 , ferroelectric transistor

Subjects:

500 Science > 530 Physics

Status:

Published

Refereed:

Yes, this version has been refereed

Created at the University of Regensburg:

Yes

Owner:

Universitätsbibliothek Regensburg

Deposited On:

27 Oct 2009 07:59