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Electronic transport properties of electron- and hole-doped semiconducting C1b Heusler compounds: NiTi1−xMxSn (M=Sc, V)

Ouardi, Siham, Fecher, Gerhard H., Balke, Benjamin, Kozina, Xenia, Stryganyuk, Gregory, Felser, Claudia, Lowitzer, Stephan, Koedderitzsch, Diemo, Ebert, Hubert und Ikenaga, Eiji (2010) Electronic transport properties of electron- and hole-doped semiconducting C1b Heusler compounds: NiTi1−xMxSn (M=Sc, V). Physical Review B (PRB) 82, 085108.

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Andere URL zum Volltext: http://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRevB.82.085108


Zusammenfassung

The substitutional series of Heusler compounds NiTi1−xMxSn (where M=Sc,V and 0<x≤0.2) were synthesized and investigated with respect to their electronic structure and transport properties. The results show the possibility to create n-type and p-type thermoelectrics within one Heusler compound. The electronic structure and transport properties were calculated by all-electron ab initio methods and ...

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Dokumentenart:Artikel
Datum:11 August 2010
Institutionen:Nicht ausgewählt
Projekte:SFB 689: Spinphänomene in reduzierten Dimensionen
Identifikationsnummer:
WertTyp
10.1103/PhysRevB.82.085108DOI
Klassifikation:
NotationArt
31.15.A-, 71.23.-k, 72.15.Jf PACS
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Ja, diese Version wurde begutachtet
An der Universität Regensburg entstanden:Nein
Eingebracht am:21 Feb 2011 07:58
Zuletzt geändert:19 Dez 2016 15:21
Dokumenten-ID:19678
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