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Electronic transport properties of electron- and hole-doped semiconducting C1b Heusler compounds: NiTi1−xMxSn (M=Sc, V)

Ouardi, Siham und Fecher, Gerhard H. und Balke, Benjamin und Kozina, Xenia und Stryganyuk, Gregory und Felser, Claudia und Lowitzer, Stephan und Koedderitzsch, Diemo und Ebert, Hubert und Ikenaga, Eiji (2010) Electronic transport properties of electron- and hole-doped semiconducting C1b Heusler compounds: NiTi1−xMxSn (M=Sc, V). Physical Review B (PRB) 82, 085108.

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Andere URL zum Volltext: http://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRevB.82.085108


Zusammenfassung

The substitutional series of Heusler compounds NiTi1−xMxSn (where M=Sc,V and 0<x≤0.2) were synthesized and investigated with respect to their electronic structure and transport properties. The results show the possibility to create n-type and p-type thermoelectrics within one Heusler compound. The electronic structure and transport properties were calculated by all-electron ab initio methods and ...

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Dokumentenart:Artikel
Datum:11 August 2010
Institutionen:Nicht ausgewählt
Projekte:SFB 689: Spinphänomene in reduzierten Dimensionen
Identifikationsnummer:
WertTyp
10.1103/PhysRevB.82.085108DOI
Klassifikation:
NotationArt
31.15.A-, 71.23.-k, 72.15.Jf PACS
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Ja, diese Version wurde begutachtet
An der Universität Regensburg entstanden:Nein
Eingebracht am:21 Feb 2011 07:58
Zuletzt geändert:13 Mrz 2014 16:54
Dokumenten-ID:19678
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