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The FIR tunnel ionization of deep impurities in semiconductors

Ganichev, Sergey und Prettl, Wilhelm und Huggard, P. (1994) The FIR tunnel ionization of deep impurities in semiconductors. In: Afsar, Mohammed N., (ed.) Conference digest: 10 - 14 January 1994, San Diego, California. Proceedings / SPIE, 2250. SPIE, Bellingham, Washington, S. 458-459. ISBN 0-8194-1558-8.

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Dokumentenart:Buchkapitel
Datum:1994
Institutionen:Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Entpflichtete oder im Ruhestand befindliche Professoren > Arbeitsgruppe Wilhelm Prettl
Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Professor Ganichev > Arbeitsgruppe Sergey Ganichev
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Ja, diese Version wurde begutachtet
An der Universität Regensburg entstanden:Ja
Eingebracht am:05 Okt 2007
Zuletzt geändert:23 Nov 2012 07:14
Dokumenten-ID:2259
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