Infrared/terahertz spectra of the photogalvanic effect in (Bi,Sb)Te based three-dimensional topological insulators

URN zum Zitieren dieses Dokuments:: urn:nbn:de:bvb:355-epub-405417
DOI zum Zitieren dieses Dokuments:: 10.5283/epub.40541

Plank, Helene ; Pernul, Johanna ; Gebert, Sebastian ; Danilov, Sergey N. ; König-Otto, J. ; Winnerl, S. ; Lanius, M. ; Kampmeier, J. ; Mussler, G. ; Aguilera, I.

; Grützmacher, D. ; Ganichev, Sergey

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Veröffentlichungsdatum dieses Volltextes: 18 Jul 2019 13:39

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We report on the systematic study of infrared/terahertz spectra of photocurrents in (Bi, Sb) Te based three-dimensional topological insulators. We demonstrate that in a wide range of frequencies, ranging from fractions up to tens of terahertz, the photocurrent is caused by the linear photogalvanic effect (LPGE) excited in the surface states. The photocurrent spectra reveal that at low frequencies ...

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