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Effect of compressive and tensile strain on misfit dislocation injection in SiGe epitaxial layers
Schorer, R., Wegscheider, Werner und Abstreiter, Gerhard (1993) Effect of compressive and tensile strain on misfit dislocation injection in SiGe epitaxial layers. Journal of Vacuum Science & Technology B 11 (3), S. 1056-1063.Veröffentlichungsdatum dieses Volltextes: 26 Okt 2009 14:26
Artikel
DOI zum Zitieren dieses Dokuments: 10.5283/epub.10015
Beteiligte Einrichtungen
Details
| Dokumentenart | Artikel |
| Titel eines Journals oder einer Zeitschrift | Journal of Vacuum Science & Technology B |
| Verlag: | American Vacuum Society |
|---|---|
| Band: | 11 |
| Nummer des Zeitschriftenheftes oder des Kapitels: | 3 |
| Seitenbereich: | S. 1056-1063 |
| Datum | Mai 1993 |
| Institutionen | Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Entpflichtete oder im Ruhestand befindliche Professoren > Arbeitsgruppe Werner Wegscheider |
| Dewey-Dezimal-Klassifikation | 500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik |
| Status | Veröffentlicht |
| Begutachtet | Unbekannt / Keine Angabe |
| An der Universität Regensburg entstanden | Unbekannt / Keine Angabe |
| Dokumenten-ID | 10015 |
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