Go to content
UR Home

Terahertzfeld-induzierte Stoßionisationslawinen in GaAs

URN to cite this document:
urn:nbn:de:bvb:355-opus-4091
DOI to cite this document:
10.5283/epub.10220
Klappenberger, Florian
Date of publication of this fulltext: 14 Sep 2004 15:36


Abstract (German)

Es wird die Erzeugung von Terahertzfeld-induzierten Stoßionisationslawinen in GaAs-Mikrokristallen beschrieben. Für die Erzeugung der Stoßionisationslawinen wurde gepulste, leistungsstarke Ferninfrarotstrahlung (Frequenz etwa 1 THz) mit Hilfe einer Antenne in einem n-dotierten GaAs-Mikrokristall konzentriert. Dadurch wurden Feldstärken erreicht, bei denen ein Elektron-Loch-Plasma durch ...

plus

Translation of the abstract (English)

The build up of Terahertz field induced impact ionization avalanches in GaAs microcrystals is studied. For the production of the impact ionization avalanches pulsed high-power farinfrared radiation (frequency ~ 1 THz) was concentrated in an n-doped GaAs-microcrystal by use of an antenna. Field amplitudes were reached at which an electron-hole-plasma was produced via interband impact ionization. ...

plus


Owner only: item control page
  1. Homepage UR

University Library

Publication Server

Contact:

Publishing: oa@ur.de
0941 943 -4239 or -69394

Dissertations: dissertationen@ur.de
0941 943 -3904

Research data: datahub@ur.de
0941 943 -5707

Contact persons