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Terahertzfeld-induzierte Stoßionisationslawinen in GaAs

URN to cite this document:
urn:nbn:de:bvb:355-opus-4091
Klappenberger, Florian
Date of publication of this fulltext: 14 Sep 2004 15:36


Abstract (German)

Es wird die Erzeugung von Terahertzfeld-induzierten Stoßionisationslawinen in GaAs-Mikrokristallen beschrieben. Für die Erzeugung der Stoßionisationslawinen wurde gepulste, leistungsstarke Ferninfrarotstrahlung (Frequenz etwa 1 THz) mit Hilfe einer Antenne in einem n-dotierten GaAs-Mikrokristall konzentriert. Dadurch wurden Feldstärken erreicht, bei denen ein Elektron-Loch-Plasma durch ...

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Translation of the abstract (English)

The build up of Terahertz field induced impact ionization avalanches in GaAs microcrystals is studied. For the production of the impact ionization avalanches pulsed high-power farinfrared radiation (frequency ~ 1 THz) was concentrated in an n-doped GaAs-microcrystal by use of an antenna. Field amplitudes were reached at which an electron-hole-plasma was produced via interband impact ionization. ...

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