![]() | PDF (303kB) - Nur für Mitarbeiter des Archivs |
- DOI zum Zitieren dieses Dokuments:
- 10.5283/epub.11051
Alternative Links zum Volltext:DOI
Zusammenfassung
Cross-sectional scanning tunneling microscopy was used to identify individual Al atoms on cleaved surfaces of two sets of (AlGa)As heterostructure samples grown with metalorganic vapor-phase epitaxy and molecular-beam epitaxy. We determined the average Al concentration profile perpendicular to the GaAs–(AlGa)As interfaces. Based on former investigations of short-range ordering in (AlGa)As bulk ...
![plus plus](/style/images/plus.png)
Nur für Besitzer und Autoren: Kontrollseite des Eintrags