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Eom, J. ; Cho, Hyun-Ick ; Kang, W. ; Gossard, A. C. ; Wegscheider, Werner

Spin transition and anomalous domain dynamics in the fractional quantum Hall effect

Eom, J., Cho, Hyun-Ick, Kang, W., Gossard, A. C. und Wegscheider, Werner (2001) Spin transition and anomalous domain dynamics in the fractional quantum Hall effect. Physical Review B 298 (1-4), S. 106-112.

Veröffentlichungsdatum dieses Volltextes: 30 Nov 2009 14:09
Artikel
DOI zum Zitieren dieses Dokuments: 10.5283/epub.11187


Zusammenfassung

Experiments on a nearly spin degenerate two-dimensional electron system reveals unusual hysteretic and relaxational transport in the fractional quantum Hall effect (FQHE) regime. The magnetotransport near the transition between the spin-polarized and spin-unpolarized Image states is accompanied by a complicated series of hysteresis loops reminiscent of a classical ferromagnet. In conjunction with ...

Experiments on a nearly spin degenerate two-dimensional electron system reveals unusual hysteretic and relaxational transport in the fractional quantum Hall effect (FQHE) regime. The magnetotransport near the transition between the spin-polarized and spin-unpolarized Image states is accompanied by a complicated series of hysteresis loops reminiscent of a classical ferromagnet. In conjunction with the hysteresis, magnetoresistance can either grow or decay logarithmically in time with remarkable persistence without saturation. These results can be understood in terms of anomalous domain dynamics associated with the spin transition or alternatively in terms of quantum Hall ferromagnet.



Beteiligte Einrichtungen


Details

DokumentenartArtikel
Titel eines Journals oder einer ZeitschriftPhysical Review B
Verlag:American Physical Society
Band:298
Nummer des Zeitschriftenheftes oder des Kapitels:1-4
Seitenbereich:S. 106-112
DatumApril 2001
InstitutionenPhysik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Entpflichtete oder im Ruhestand befindliche Professoren > Arbeitsgruppe Werner Wegscheider
Identifikationsnummer
WertTyp
10.1016/S0921-4526(01)00283-6DOI
Stichwörter / KeywordsMagnetic field; Semiconductors; Fractional quantum Hall effect
Dewey-Dezimal-Klassifikation500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
StatusVeröffentlicht
BegutachtetUnbekannt / Keine Angabe
An der Universität Regensburg entstandenUnbekannt / Keine Angabe
Dokumenten-ID11187

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