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Midinfrared intersubband electroluminescence of Si/SiGe quantum cascade structures

Bormann, I., Brunner, K., Hackenbuchner, S., Zandler, G., Abstreiter, Gerhard, Schmult, Stefan und Wegscheider, Werner (2002) Midinfrared intersubband electroluminescence of Si/SiGe quantum cascade structures. Applied Physics Letters 80 (13), S. 2260-2262.

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Veröffentlichungsdatum dieses Volltextes: 07 Dez 2009 13:01

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Zusammenfassung

Unipolar intersubband lasers like quantum cascade laser structures might be realized not only in III–V semiconductors but also in Si/SiGe multiple layer structures since no optical transitions across the indirect band gap are involved. We report on well-defined intersubband electroluminescence emission of Si/SiGe quantum cascade structures with different active quantum wells parameters. The ...

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Dokumentenart:Artikel
Datum:1 April 2002
Institutionen:Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Entpflichtete oder im Ruhestand befindliche Professoren > Arbeitsgruppe Werner Wegscheider
Identifikationsnummer:
WertTyp
10.1063/1.146513DOI
Verwandte URLs:
URLURL Typ
http://link.aip.org/link/?APPLAB/80/2260/1Verlag
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Unbekannt / Keine Angabe
An der Universität Regensburg entstanden:Unbekannt / Keine Angabe
Dokumenten-ID:11298
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