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Invited Review Electronic properties of nanostructures defined in Ga[Al]As heterostructures by local oxidation

Fuhrer, A., Dorn, A., Lüscher, S., Heinzel, Thomas, Ensslin, Klaus, Wegscheider, Werner und Bichler, Max (2002) Invited Review Electronic properties of nanostructures defined in Ga[Al]As heterostructures by local oxidation. Superlattices and Microstructures 31 (1), S. 19-42.

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Zusammenfassung

Semiconductor nanostructures are fabricated by local oxidation of Ga[Al]As heterostructures with an atomic force microscope (AFM). The GaAs surface is locally oxidized by applying a bias between the substrate and a conductive AFM tip in a humidity-controlled environment. For high-quality two-dimensional electron gases (2DEGS) located close enough to the sample surface the electrons get depleted ...

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Dokumentenart:Artikel
Datum:Januar 2002
Institutionen:Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Entpflichtete oder im Ruhestand befindliche Professoren > Arbeitsgruppe Werner Wegscheider
Identifikationsnummer:
WertTyp
10.1006/spmi.2002.1015DOI
Klassifikation:
NotationArt
71.30.+h, 71.35.-y, 73.21.-b, 78.66.FdPACS
Stichwörter / Keywords:atomic force lithography, semiconductor nanostructures, 2DEG
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Unbekannt / Keine Angabe
An der Universität Regensburg entstanden:Unbekannt / Keine Angabe
Eingebracht am:07 Dez 2009 13:18
Zuletzt geändert:08 Mrz 2017 08:23
Dokumenten-ID:11311
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