Fuhrer, A., Dorn, A., Lüscher, S., Heinzel, Thomas, Ensslin, Klaus, Wegscheider, Werner und Bichler, Max (2002) Invited Review Electronic properties of nanostructures defined in Ga[Al]As heterostructures by local oxidation. Superlattices and Microstructures 31 (1), S. 19-42.
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Zusammenfassung
Semiconductor nanostructures are fabricated by local oxidation of Ga[Al]As heterostructures with an atomic force microscope (AFM). The GaAs surface is locally oxidized by applying a bias between the substrate and a conductive AFM tip in a humidity-controlled environment. For high-quality two-dimensional electron gases (2DEGS) located close enough to the sample surface the electrons get depleted ...
Bibliographische Daten exportieren
| Dokumentenart: | Artikel | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| Datum: | Januar 2002 | ||||
| Institutionen: | Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Entpflichtete oder im Ruhestand befindliche Professoren > Arbeitsgruppe Werner Wegscheider | ||||
| Identifikationsnummer: |
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| Klassifikation: |
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| Stichwörter / Keywords: | atomic force lithography, semiconductor nanostructures, 2DEG | ||||
| Dewey-Dezimal-Klassifikation: | 500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik | ||||
| Status: | Veröffentlicht | ||||
| Begutachtet: | Unbekannt / Keine Angabe | ||||
| An der Universität Regensburg entstanden: | Unbekannt / Keine Angabe | ||||
| Eingebracht am: | 07 Dez 2009 13:18 | ||||
| Zuletzt geändert: | 08 Mrz 2017 08:23 | ||||
| Dokumenten-ID: | 11311 |
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