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Vertical field effect transistors realized by cleaved-edge overgrowth

Ertl, F., Asperger, T., Deutschmann, R. A., Wegscheider, Werner, Bichler, Max, Böhm, G. und Abstreiter, Gerhard (2002) Vertical field effect transistors realized by cleaved-edge overgrowth. Physica E Low-dimensional Systems and Nanostructures 13 (2-4), S. 920-924.

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Zusammenfassung

We present a brief survey of vertical transistor devices fabricated by the cleaved-edge overgrowth technique. Different device types are realized using different transistor substrates grown by molecular beam epitaxy. These substrates mainly vary in the layer sequence and thickness between the source/drain contacts. Common to all designs is the vertical gate structure overgrown on a cleavage plane ...

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Dokumentenart:Artikel
Datum:März 2002
Institutionen:Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Entpflichtete oder im Ruhestand befindliche Professoren > Arbeitsgruppe Werner Wegscheider
Identifikationsnummer:
WertTyp
10.1016/S1386-9477(02)00235-7DOI
Klassifikation:
NotationArt
81.16.−c; 85.35.−p; 73.63.−bPACS
Stichwörter / Keywords:Cleaved-edge overgrowth; Vertical transistor; DC transport
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Unbekannt / Keine Angabe
An der Universität Regensburg entstanden:Unbekannt / Keine Angabe
Eingebracht am:07 Dez 2009 13:29
Zuletzt geändert:08 Mrz 2017 08:23
Dokumenten-ID:11324
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