Zenger, Marcus, Moser, Jürgen, Wegscheider, Werner, Weiss, Dieter und Dietl, T. (2004) High-field magnetoresistance of Fe/GaAs/Fe tunnel junctions. Journal of Applied Physics 96 (14), S. 2400-2402.
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Zusammenfassung
We investigate transport through 6–10 nm thin epitaxial GaAs(001) barriers sandwiched between polycrystalline iron films. Apart from a pronounced tunneling magnetoresistance effect at low magnetic fields, we observe a distinct negative magnetoresistance (MR) at low and a positive MR at higher temperatures. We show that the negative MR contribution is only observed for the ferromagnetic iron ...
Bibliographische Daten exportieren
| Dokumentenart: | Artikel | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| Datum: | 15 August 2004 | ||||
| Institutionen: | Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Entpflichtete oder im Ruhestand befindliche Professoren > Arbeitsgruppe Werner Wegscheider | ||||
| Identifikationsnummer: |
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| Klassifikation: |
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| Stichwörter / Keywords: | iron, gallium arsenide, III-V semiconductors, ferromagnetic materials, magnetic semiconductors, magnetic epitaxial layers, semiconductor epitaxial layers, tunnelling magnetoresistance, Zeeman effect, metal-semiconductor-metal structures | ||||
| Dewey-Dezimal-Klassifikation: | 500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik | ||||
| Status: | Veröffentlicht | ||||
| Begutachtet: | Unbekannt / Keine Angabe | ||||
| An der Universität Regensburg entstanden: | Unbekannt / Keine Angabe | ||||
| Eingebracht am: | 11 Jan 2010 13:21 | ||||
| Zuletzt geändert: | 03 Jun 2018 22:23 | ||||
| Dokumenten-ID: | 11825 |
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