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Quantitative modeling of the annealing-induced changes of the magnetotransport in Ga1−xMnxAs alloys

Michel, C., Baranovskii, S. D, Thomas, P., Heimbrodt, W, Elm, M. T., Klar, P. J., Goldlücke, B., Wurstbauer, Ursula, Reinwald, Matthias und Wegscheider, Werner (2007) Quantitative modeling of the annealing-induced changes of the magnetotransport in Ga1−xMnxAs alloys. Journal of Applied Physics 102 (7), 073712.

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Zusammenfassung

We study the changes of magnetoresistance induced by controlled thermal annealing at temperatures ranging from 300 to 600 °C of a Ga0.98Mn0.02As alloy grown by low-temperature molecular beam epitaxy. We use a resistor-network model for describing the electrical transport as a function of temperature and external magnetic field. The model is founded on classical semiconductor band transport and ...

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Dokumentenart:Artikel
Datum:11 Oktober 2007
Institutionen:Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Entpflichtete oder im Ruhestand befindliche Professoren > Arbeitsgruppe Werner Wegscheider
Identifikationsnummer:
WertTyp
10.1063/1.2786556DOI
Verwandte URLs:
URLURL Typ
http://link.aip.org/link/?JAPIAU/102/073712/1Verlag
Klassifikation:
NotationArt
72.20.My; 72.80.Ey; 75.50.Pp; 75.20.CkPACS
Stichwörter / Keywords:annealing, electronic density of states, gallium arsenide, gallium compounds, III-V semiconductors, magnetoresistance, manganese compounds, paramagnetic materials, semimagnetic semiconductors, Zeeman effect
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Unbekannt / Keine Angabe
An der Universität Regensburg entstanden:Unbekannt / Keine Angabe
Eingebracht am:25 Jan 2010 13:51
Zuletzt geändert:19 Dez 2016 12:33
Dokumenten-ID:12489
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