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Optical gain, carrier-induced phase shift, and linewidth enhancement factor in InGaN quantum well lasers

Schwarz, Ulrich, Sturm, Evi, Wegscheider, Werner, Kümmler, V., Lell, Alfred und Härle, Volker (2003) Optical gain, carrier-induced phase shift, and linewidth enhancement factor in InGaN quantum well lasers. Applied Physics Letters 83 (20), S. 4095.

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Zusammenfassung

Adapting the Hakki Paoli method to group III nitrides, we measure gain, differential gain, carrier-induced change of refractive index, carrier-induced phase shift, and the antiguiding factor. Our measurements also cover the low-carrier-density regime, in which spontaneous and piezoelectric fields and Coulomb interaction are only partially screened. This regime is most interesting as a comparison with existing theoretical simulations, including many-body effects.


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Dokumentenart:Artikel
Datum:17 November 2003
Institutionen:Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Entpflichtete oder im Ruhestand befindliche Professoren > Arbeitsgruppe Werner Wegscheider
Identifikationsnummer:
WertTyp
10.1063/1.1628825DOI
Verwandte URLs:
URLURL Typ
http://link.aip.org/link/?APPLAB/83/4095/1Verlag
Klassifikation:
NotationArt
42.55.Px; 78.20.Ci; 85.35.Be; 78.67.DePACS
Stichwörter / Keywords:refractive index, quantum well lasers, spectral line breadth, indium compounds, gallium compounds, III-V semiconductors, semiconductor quantum wells
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Unbekannt / Keine Angabe
An der Universität Regensburg entstanden:Unbekannt / Keine Angabe
Eingebracht am:08 Feb 2010 13:42
Zuletzt geändert:08 Mrz 2017 08:24
Dokumenten-ID:12754
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