Comparison of Growth and Strain Relaxation of Si/Ge Superlattices under Compressive and Tensile Strain Field
Wegscheider, Werner, Eberl, Karl, Abstreiter, Gerhard, Cerva, Hans und Oppolzer, Helmut (1991) Comparison of Growth and Strain Relaxation of Si/Ge Superlattices under Compressive and Tensile Strain Field. In: Bean, John Condon, (ed.) Silicon molecular beam epitaxy: symposium held April 29- May 3, 1991, Anaheim, California, USA. Materials Research Society symposium proceedings, 220. Materials Research Society, Pittsburgh, Pennsylvania, USA, S. 135. ISBN 1-558-99114-X.Veröffentlichungsdatum dieses Volltextes: 02 Mrz 2010 13:46
Buchkapitel
Beteiligte Einrichtungen
Details
| Dokumentenart | Buchkapitel |
| ISBN | 1-558-99114-X |
| Buchtitel: | Silicon molecular beam epitaxy: symposium held April 29- May 3, 1991, Anaheim, California, USA |
|---|---|
| Verlag: | Materials Research Society |
| Ort der Veröffentlichung: | Pittsburgh, Pennsylvania, USA |
| Sonstige Reihe: | Materials Research Society symposium proceedings |
| Band: | 220 |
| Seitenbereich: | S. 135 |
| Datum | 1991 |
| Institutionen | Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Entpflichtete oder im Ruhestand befindliche Professoren > Arbeitsgruppe Werner Wegscheider |
| Dewey-Dezimal-Klassifikation | 500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik |
| Status | Veröffentlicht |
| Begutachtet | Unbekannt / Keine Angabe |
| An der Universität Regensburg entstanden | Unbekannt / Keine Angabe |
| Dokumenten-ID | 13199 |
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