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Carbon-doped high mobility two-dimensional hole gases on (110) faced GaAs
Schmult, Stefan
, Gerl, Christian, Wurstbauer, Ursula , Mitzkus, C. und Wegscheider, Werner
(2005)
Carbon-doped high mobility two-dimensional hole gases on (110) faced GaAs.
Applied Physics Letters 86, S. 202105.
Veröffentlichungsdatum dieses Volltextes: 05 Aug 2009 13:30
Artikel
DOI zum Zitieren dieses Dokuments: 10.5283/epub.1626
Zusammenfassung
Carbon-doped high-mobility two-dimensional hole gases grown on (110) oriented GaAs substrates have been grown with hole mobilities exceeding 10(6) cm(2)/Vs in single heterojunction GaAs/AlGaAs structures. At these high mobilities, a pronounced mobility anisotropy has been observed. Rashba induced spin-splitting in these asymmetric structures has been found to be independent on the transport direction. (c) 2005 American Institute of Physics.
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Beteiligte Einrichtungen
Details
| Dokumentenart | Artikel | ||||||
| Titel eines Journals oder einer Zeitschrift | Applied Physics Letters | ||||||
| Verlag: | AMER INST PHYSICS | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Ort der Veröffentlichung: | MELVILLE | ||||||
| Band: | 86 | ||||||
| Seitenbereich: | S. 202105 | ||||||
| Datum | Mai 2005 | ||||||
| Institutionen | Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Entpflichtete oder im Ruhestand befindliche Professoren > Arbeitsgruppe Werner Wegscheider | ||||||
| Identifikationsnummer |
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| Verwandte URLs |
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| Stichwörter / Keywords | QUANTUM-WELLS; HETEROSTRUCTURES; | ||||||
| Dewey-Dezimal-Klassifikation | 500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik | ||||||
| Status | Veröffentlicht | ||||||
| Begutachtet | Ja, diese Version wurde begutachtet | ||||||
| An der Universität Regensburg entstanden | Ja | ||||||
| URN der UB Regensburg | urn:nbn:de:bvb:355-epub-16260 | ||||||
| Dokumenten-ID | 1626 |
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