FIR tunnel ionization of deep impurities in semiconductors
Ganichev, Sergey und Prettl, Wilhelm (1994) M8.6. FIR tunnel ionization of deep impurities in semiconductors. In: Sakai, K. und Yoneyama, T., (eds.) Conference digest / The 19th International Conference on Infrared and Millimeter Waves, October 17 - 20, 1994, Sendai International Center, Sendai, Japan. Sendai, Japan.Veröffentlichungsdatum dieses Volltextes: 04 Okt 2010 12:23
Buchkapitel
Beteiligte Einrichtungen
Details
| Dokumentenart | Buchkapitel |
| Buchtitel: | Conference digest / The 19th International Conference on Infrared and Millimeter Waves, October 17 - 20, 1994, Sendai International Center, Sendai, Japan |
|---|---|
| Ort der Veröffentlichung: | Sendai, Japan |
| Nummer des Zeitschriftenheftes oder des Kapitels: | M8.6 |
| Datum | 1994 |
| Zusätzliche Informationen (Öffentlich) | sponsored by the Japan Society of Applied Physics |
| Institutionen | Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Entpflichtete oder im Ruhestand befindliche Professoren > Arbeitsgruppe Wilhelm Prettl Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Professor Ganichev > Arbeitsgruppe Sergey Ganichev |
| Dewey-Dezimal-Klassifikation | 500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik |
| Status | Veröffentlicht |
| Begutachtet | Unbekannt / Keine Angabe |
| An der Universität Regensburg entstanden | Unbekannt / Keine Angabe |
| Dokumenten-ID | 16942 |
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