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Zeeman splitting of excited boron states in p-Ge

URN zum Zitieren dieses Dokuments: urn:nbn:de:bvb:355-epub-173473

Jungwirt, G. und Prettl, Wilhelm (1989) Zeeman splitting of excited boron states in p-Ge. International Journal of Infrared and Millimeter Waves 10 (8), S. 1033-1042.

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Zusammenfassung

The photothermal spectrum of shallow acceptors in p-Ge has been investigated at various magnetic field strengths up to 5.6 T at a temperature of 7.5 K by FIR-Fourier-spectroscopy. From the observed Zeeman splittings of the excited states of the boron acceptor the coefficients of the linear and quadratic field dependence have been evaluated andg-factors of theD-,C- and theG-transitions have been determined based on a standard group theoretical approach.


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Dokumentenart:Artikel
Datum:1989
Institutionen:Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Entpflichtete oder im Ruhestand befindliche Professoren > Arbeitsgruppe Wilhelm Prettl
Identifikationsnummer:
WertTyp
10.1007/BF01010396DOI
Stichwörter / Keywords:boron doped p-Ge - shallow acceptors - Zeeman-splitting
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Ja, diese Version wurde begutachtet
An der Universität Regensburg entstanden:Unbekannt / Keine Angabe
Eingebracht am:18 Okt 2010 11:56
Zuletzt geändert:03 Jun 2018 13:41
Dokumenten-ID:17347
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