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Subgap-photoconductivity of p-doped polysilicon

Bock, W. und Prettl, Wilhelm (1987) Subgap-photoconductivity of p-doped polysilicon. In: 17th European Solid State Device Research Conference, 14.-17. September 1987, Bologna, Italien.

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Dokumentenart:Konferenz- oder Workshop-Beitrag (Nicht ausgewählt)
Datum:1987
Institutionen:Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Entpflichtete oder im Ruhestand befindliche Professoren > Arbeitsgruppe Wilhelm Prettl
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Unbekannt / Keine Angabe
An der Universität Regensburg entstanden:Unbekannt / Keine Angabe
Eingebracht am:26 Okt 2010 12:04
Zuletzt geändert:24 Mai 2018 12:17
Dokumenten-ID:17485
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