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Negative FIR-photoconductivity in n-GaAs

URN zum Zitieren dieses Dokuments: urn:nbn:de:bvb:355-epub-175134

Heisel, W., Böhm, W. und Prettl, Wilhelm (1981) Negative FIR-photoconductivity in n-GaAs. International Journal of Infrared and Millimeter Waves 2 (4), S. 829-837.

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Zusammenfassung

Negative photoconductivity in n-GaAs has been observed in the far infrared spectral range between 20 and 29 cm–1. Negative photoconductivity occurs when a magnetic field is applied to the samples and impact ionization of shallow donors by the electric bias field is the dominant mechanism of electron excitation to the conduction band. A conceivable model qualitatively explaining the experimental ...

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Dokumentenart:Artikel
Datum:1981
Institutionen:Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Entpflichtete oder im Ruhestand befindliche Professoren > Arbeitsgruppe Wilhelm Prettl
Identifikationsnummer:
WertTyp
10.1007/BF01007279DOI
Stichwörter / Keywords:semiconductors - epitaxial GaAs - far-infrared magnetospectroscopy - impact inonization - photoconductivity
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Ja, diese Version wurde begutachtet
An der Universität Regensburg entstanden:Unbekannt / Keine Angabe
Eingebracht am:26 Okt 2010 12:22
Zuletzt geändert:03 Jun 2018 13:33
Dokumenten-ID:17513
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