Intense Terahertz Excitation of Semiconductors
Ganichev, Sergey und Prettl, Wilhelm (2006) Intense Terahertz Excitation of Semiconductors. Oxford science publications; Series on semiconductor science and technology, 14. Oxford Univ. Press, Oxford. ISBN 0-19-852830-2; 978-0-19-852830-2.Veröffentlichungsdatum dieses Volltextes: 05 Aug 2009 13:33
Buch
Beteiligte Einrichtungen
Details
| Dokumentenart | Buch |
| ISBN | 0-19-852830-2; 978-0-19-852830-2 |
| Verlag: | Oxford Univ. Press |
|---|---|
| Ort der Veröffentlichung: | Oxford |
| Sonstige Reihe: | Oxford science publications; Series on semiconductor science and technology |
| Band: | 14 |
| Seitenanzahl: | XI, 418 |
| Datum | 2006 |
| Institutionen | Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Professor Ganichev > Arbeitsgruppe Sergey Ganichev |
| Dewey-Dezimal-Klassifikation | 500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik |
| Status | Veröffentlicht |
| Begutachtet | Ja, diese Version wurde begutachtet |
| An der Universität Regensburg entstanden | Ja |
| Dokumenten-ID | 1801 |
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