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High power non-linear magnetophotoconductivity in n-GaAs using the UCSB free electron laser

URN zum Zitieren dieses Dokuments: urn:nbn:de:bvb:355-epub-184463

Kaminski, J. P., Spector, J., Prettl, Wilhelm und Weispfenning, M. (1988) High power non-linear magnetophotoconductivity in n-GaAs using the UCSB free electron laser. International Journal of Infrared and Millimeter Waves 9 (9), S. 745-760.

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Zusammenfassung

The kinetics of electrons bound to shallow donor impurities in n-GaAs was investigated by saturation spectroscopy using the University of California at Santa Barbara free electron laser. The resonant photothermal conductivity from 1s–2p+ transitions was measured at intensities greatly exceeding previous studies. Saturation of bound-to-free photoionization transitions was measured from 0 to 4 ...

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Dokumentenart:Artikel
Datum:1988
Institutionen:Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Entpflichtete oder im Ruhestand befindliche Professoren > Arbeitsgruppe Wilhelm Prettl
Identifikationsnummer:
WertTyp
10.1007/BF01010658DOI
Verwandte URLs:
URLURL Typ
http://www.springerlink.com/content/l08651x113557079/Verlag
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Ja, diese Version wurde begutachtet
An der Universität Regensburg entstanden:Unbekannt / Keine Angabe
Eingebracht am:26 Nov 2010 08:49
Zuletzt geändert:03 Jun 2018 13:05
Dokumenten-ID:18446
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