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High power non-linear magnetophotoconductivity in n-GaAs using the UCSB free electron laser

URN zum Zitieren dieses Dokuments:
urn:nbn:de:bvb:355-epub-184463
DOI zum Zitieren dieses Dokuments:
10.5283/epub.18446
Kaminski, J. P. ; Spector, J. ; Prettl, Wilhelm ; Weispfenning, M.
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(642kB)
Veröffentlichungsdatum dieses Volltextes: 26 Nov 2010 08:49


Zusammenfassung

The kinetics of electrons bound to shallow donor impurities in n-GaAs was investigated by saturation spectroscopy using the University of California at Santa Barbara free electron laser. The resonant photothermal conductivity from 1s–2p+ transitions was measured at intensities greatly exceeding previous studies. Saturation of bound-to-free photoionization transitions was measured from 0 to 4 ...

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