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Variable-range hopping conduction in doped germanium at very low temperatures and high magnetic fields

URN zum Zitieren dieses Dokuments:
urn:nbn:de:bvb:355-epub-188461
DOI zum Zitieren dieses Dokuments:
10.5283/epub.18846
Schoepe, Wilfried
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Veröffentlichungsdatum dieses Volltextes: 21 Dez 2010 06:30


Zusammenfassung

The conductivity of doped Ge below the metal-insulator transition is measured at temperatures between 4 K and 40 mK and in magnetic fields up to 7 Tesla. In zero field the resistivity exponent diverges asT –1/2. In weak fields the magnetoresistance increases asB 2 and becomes exponentially large in strong fields and at low temperatures. The results can be described quantitatively in terms of ...

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