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Variable-range hopping conduction in doped germanium at very low temperatures and high magnetic fields

URN zum Zitieren dieses Dokuments: urn:nbn:de:bvb:355-epub-188461

Schoepe, Wilfried (1988) Variable-range hopping conduction in doped germanium at very low temperatures and high magnetic fields. Zeitschrift für Physik B, Condensed matter 71 (4), S. 455-463.

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Zusammenfassung

The conductivity of doped Ge below the metal-insulator transition is measured at temperatures between 4 K and 40 mK and in magnetic fields up to 7 Tesla. In zero field the resistivity exponent diverges asT –1/2. In weak fields the magnetoresistance increases asB 2 and becomes exponentially large in strong fields and at low temperatures. The results can be described quantitatively in terms of ...

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Dokumentenart:Artikel
Datum:1988
Institutionen:Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Entpflichtete oder im Ruhestand befindliche Professoren > Prof. Wilfried Schoepe
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Unbekannt / Keine Angabe
An der Universität Regensburg entstanden:Unbekannt / Keine Angabe
Eingebracht am:21 Dez 2010 06:30
Zuletzt geändert:03 Jun 2018 12:12
Dokumenten-ID:18846
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