Startseite UR

Theory of single electron spin relaxation in Si/SiGe lateral coupled quantum dots

URN zum Zitieren dieses Dokuments:
urn:nbn:de:bvb:355-epub-190950
DOI zum Zitieren dieses Dokuments:
10.5283/epub.19095
Raith, Martin ; Stano, Peter ; Fabian, Jaroslav
[img]
Vorschau
PDF - Veröffentlichte Version
(1MB)
Veröffentlichungsdatum dieses Volltextes: 21 Jan 2011 14:07



Zusammenfassung

We investigate the spin relaxation induced by acoustic phonons in the presence of spin-orbit interactions in single electron Si/SiGe lateral coupled quantum dots. The relaxation rates are computed numerically in single and double quantum dots, in in-plane and perpendicular magnetic fields. The deformation potential of acoustic phonons is taken into account for both transverse and longitudinal ...

plus


Nur für Besitzer und Autoren: Kontrollseite des Eintrags
  1. Universität

Universitätsbibliothek

Publikationsserver

Kontakt:

Publizieren: oa@ur.de
0941 943 -4239 oder -69394

Dissertationen: dissertationen@ur.de
0941 943 -3904

Forschungsdaten: datahub@ur.de
0941 943 -5707

Ansprechpartner