Terahertz emission and absorption at lateral electric field in p-GaAsN/GaAs and n-GaAs/AlGaAs heterostructures
Shalygin, Vadim, Firsov, D., Vorobjev, L., Sofronov, A., Panevin, V., Kozlov, D., Ganichev, Sergey, Danilov, Sergey, Andrianov, A., Zakhar'in, A., Zinov'ev, N., Egorov, A., Bondarenko, O. und Gladyshev, A. (2007) Terahertz emission and absorption at lateral electric field in p-GaAsN/GaAs and n-GaAs/AlGaAs heterostructures. Proc. 15th International Symposium Nanostructures: Physics and Technology, Novosibirsk, Russia. (Eingereicht)Veröffentlichungsdatum dieses Volltextes: 05 Aug 2009 13:36
Artikel
Beteiligte Einrichtungen
Details
| Dokumentenart | Artikel |
| Titel eines Journals oder einer Zeitschrift | Proc. 15th International Symposium Nanostructures: Physics and Technology, Novosibirsk, Russia |
| Datum | 2007 |
| Institutionen | Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Professor Ganichev > Arbeitsgruppe Sergey Ganichev |
| Dewey-Dezimal-Klassifikation | 500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik |
| Status | Eingereicht |
| Begutachtet | Ja, diese Version wurde begutachtet |
| An der Universität Regensburg entstanden | Ja |
| Dokumenten-ID | 2138 |
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