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The Infrared Spin-Galvanic Effect in Semiconductor Quantum Wells

URN zum Zitieren dieses Dokuments: urn:nbn:de:bvb:355-epub-21582

Ganichev, Sergey (2004) The Infrared Spin-Galvanic Effect in Semiconductor Quantum Wells. Physica E 20, S. 419-423.

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Zusammenfassung

The spin-galvanic effect generated by homogeneous optical excitation with infrared circularly polarized radiation in quantum wells (QWs) is reviewed. The spin-galvanic current flow is driven by an asymmetric distribution of spin-polarized carriers in k-space of systems with lifted spin degeneracy due to k-linear terms in the Hamiltonian. Spin photocurrents provide methods to investigate the spin-splitting of the bandstructure and to make conclusion on the in-plane symmetry of QWs.


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Dokumentenart:Artikel
Datum:2004
Institutionen:Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Professor Ganichev > Arbeitsgruppe Sergey Ganichev
Identifikationsnummer:
WertTyp
10.1016/j.physe.2003.08.049DOI
Stichwörter / Keywords:Spin-galvanic effect; Quantum well; Infrared; Spin orientation
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Ja, diese Version wurde begutachtet
An der Universität Regensburg entstanden:Ja
Eingebracht am:05 Okt 2007
Zuletzt geändert:08 Mrz 2017 08:17
Dokumenten-ID:2158
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