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Ganichev, Sergey

The Infrared Spin-Galvanic Effect in Semiconductor Quantum Wells

Ganichev, Sergey (2004) The Infrared Spin-Galvanic Effect in Semiconductor Quantum Wells. Physica E 20, S. 419-423.

Veröffentlichungsdatum dieses Volltextes: 05 Aug 2009 13:37
Artikel
DOI zum Zitieren dieses Dokuments: 10.5283/epub.2158


Zusammenfassung

The spin-galvanic effect generated by homogeneous optical excitation with infrared circularly polarized radiation in quantum wells (QWs) is reviewed. The spin-galvanic current flow is driven by an asymmetric distribution of spin-polarized carriers in k-space of systems with lifted spin degeneracy due to k-linear terms in the Hamiltonian. Spin photocurrents provide methods to investigate the spin-splitting of the bandstructure and to make conclusion on the in-plane symmetry of QWs.



Beteiligte Einrichtungen


Details

DokumentenartArtikel
Titel eines Journals oder einer ZeitschriftPhysica E
Band:20
Seitenbereich:S. 419-423
Datum2004
InstitutionenPhysik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Professor Ganichev > Arbeitsgruppe Sergey Ganichev
Identifikationsnummer
WertTyp
10.1016/j.physe.2003.08.049DOI
Stichwörter / KeywordsSpin-galvanic effect; Quantum well; Infrared; Spin orientation
Dewey-Dezimal-Klassifikation500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
StatusVeröffentlicht
BegutachtetJa, diese Version wurde begutachtet
An der Universität Regensburg entstandenJa
URN der UB Regensburgurn:nbn:de:bvb:355-epub-21582
Dokumenten-ID2158

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