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Spin-galvanic effect in quantum wells

URN zum Zitieren dieses Dokuments:
urn:nbn:de:bvb:355-epub-21700
DOI zum Zitieren dieses Dokuments:
10.5283/epub.2170
Ganichev, Sergey ; Ivchenko, Eougenious ; Belkov, Vassilij ; Tarasenko, Sergey ; Sollinger, M. ; Schowalter, Dieter ; Weiss, Dieter ; Wegscheider, Werner ; Prettl, Wilhelm
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Veröffentlichungsdatum dieses Volltextes: 05 Aug 2009 13:37


Zusammenfassung

It is shown that a homogeneous nonequlibrium spin polarization in semiconductor heterostructures results in an electric current. The microscopic origin of the effect is an inherent asymmetry of spin-flip scattering in systems with lifted spin degeneracy caused by k-linear
terms in the Hamiltonian.


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