Excited state properties of Si quantum dots
Artikel
Zhang, R. Q., De Sarkar, Abir, Niehaus, Thomas A. und Frauenheim, Th. (2012) Excited state properties of Si quantum dots. phys. status solidi b 249, S. 401.Alternative Links zum Volltext
Beteiligte Einrichtungen
Details
| Dokumentenart | Artikel |
| Titel eines Journals oder einer Zeitschrift | phys. status solidi b |
| Band | 249 |
| Seitenbereich | S. 401 |
| Datum | 2012 |
| Veröffentlichungsdatum | 16 Aug 2011 08:14 |
| Institutionen | Physik > Institut für Theoretische Physik > Entpflichtete oder im Ruhestand befindliche Professoren > Arbeitsgruppe Thomas Niehaus |
| Dewey-Dezimal-Klassifikation | 500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik |
| Status | Veröffentlicht |
| Begutachtet | Ja, diese Version wurde begutachtet |
| An der Universität Regensburg entstanden | Ja |
| Dokumenten-ID | 21776 |
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