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Excited state properties of Si quantum dots
Zhang, R. Q., De Sarkar, Abir, Niehaus, Thomas A. und Frauenheim, Th. (2012) Excited state properties of Si quantum dots. phys. status solidi b 249, S. 401.Veröffentlichungsdatum dieses Volltextes: 16 Aug 2011 08:14
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Beteiligte Einrichtungen
Details
| Dokumentenart | Artikel |
| Titel eines Journals oder einer Zeitschrift | phys. status solidi b |
| Band: | 249 |
|---|---|
| Seitenbereich: | S. 401 |
| Datum | 2012 |
| Institutionen | Physik > Institut für Theoretische Physik > Entpflichtete oder im Ruhestand befindliche Professoren > Arbeitsgruppe Thomas Niehaus |
| Dewey-Dezimal-Klassifikation | 500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik |
| Status | Veröffentlicht |
| Begutachtet | Ja, diese Version wurde begutachtet |
| An der Universität Regensburg entstanden | Ja |
| Dokumenten-ID | 21776 |
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