Startseite UR

Excited state properties of Si quantum dots

Zhang, R. Q., De Sarkar, Abir, Niehaus, Thomas A. und Frauenheim, Th. (2012) Excited state properties of Si quantum dots. phys. status solidi b 249, S. 401.

Im Publikationsserver gibt es leider keinen Volltext zu diesem Eintrag.

Andere URL zum Volltext: http://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/pssb.201100719/abstract


Bibliographische Daten exportieren



Dokumentenart:Artikel
Datum:2012
Institutionen:Physik > Institut für Theoretische Physik > Entpflichtete oder im Ruhestand befindliche Professoren > Arbeitsgruppe Thomas Niehaus
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Ja, diese Version wurde begutachtet
An der Universität Regensburg entstanden:Ja
Eingebracht am:16 Aug 2011 08:14
Zuletzt geändert:16 Mai 2012 08:27
Dokumenten-ID:21776
Nur für Besitzer und Autoren: Kontrollseite des Eintrags
  1. Universität

Universitätsbibliothek

Publikationsserver

Kontakt:

Publizieren: oa@ur.de

Dissertationen: dissertationen@ur.de

Forschungsdaten: daten@ur.de

Ansprechpartner